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    矽莱克半导体(Sirect Semiconductors Inc.)创立于2002年,核心技术及团队来自于欧美及台湾功率半导体产业,注册总资本美金八百余万元,主要从事各类高功率密度(High Power Density)超薄型贴片...
    新闻与动态 / News and trends More
    • 发布时间: 2018 - 11 - 01
      矽莱克半导体座落位于东莞虎门107智谷之研发中心开始启用,自2016年迄今,矽莱克半导体中国研发中心已陆续完成15件专利案件申请,今后将以该研发中心为据点,全面进行大功率、高功率密度及高可靠性功率半导体产品及运用的研发、专利申请以及量产化。
    • 发布时间: 2018 - 09 - 18
      矽莱克创新型单相及三相桥式整流器组件(Bridge Rectifier Circuit Component),已通过美国商标及专利局审查并被授予专利证书。该项专利为全球首创,具有高效率、高可靠性及高功率密度的优点,并兼具高性价比之方案。并透过矽莱克半导体专利全自动化生产串联功率半导体封装结构,可替代旧式桥式整流器及各类大型功率模块(Power Module)产品,有效提升各类中大功率之桥式整流电路转换效率、可靠性及功率密度,符合高效率及微型化的未来市场需求。 该产品具有提升可靠性、功率密度、输出效率以及降低成本的综合性优势,预计于2019年第三季开始量产并投放市场使用。
    • 发布时间: 2017 - 08 - 18
      矽莱克半导体于日前与珠海英诺赛科科技有限公司,在珠海英诺赛科进行第三代半导体氮化镓GaN及碳化硅SiC等宽禁带材料之功率封装技术的交流与会谈,双方分别由矽莱克半导体亚太区总裁Ben Chen先生及英诺赛科韩籍R&D VP Hans Kim先生为代表的一行人,进行上述相关议题讨论。硅莱克主要向英诺赛科介绍矽莱克全球首创之专利串联功率半导体封测技术,期以封测技术解决目前第三代半导体的技术门坎及极限,加速宽禁带功率器件的发展,并对预计投入国内第一条氮化镓衬底及晶圆的英诺赛科表达进一步深入合作的意向。 英诺赛科是近年珠海重点引进的高新技术产业项目,由英诺赛科集团有限公司(Innoscience group Inc.)与珠海高新区国企高新创投有限公司、珠海高新技术创业服务中心共同出资成立,注册资本10.95亿人民币,核心团队成员包括原美国NASA首席科学家朴演峻博士、德国科学院韦伯院士、亚拉巴马州立大学科学家骆薇薇博士以及原LG美国区域采购总裁孙在亨先生等行业专家,致力于第三代半导体单晶体新材料的研发和生产工艺设计,并推进该技术的产业化。
    • 发布时间: 2017 - 08 - 16
      矽莱克半导体日前与美商PIP半导体(Perfect Intelligent Power Semiconductor),于矽莱克半导体位于台北之亚太营运中心,进行技术交流与市场战略合作之会谈,会议由矽莱克半导体亚太区技术总监陈文启及市场总监李国栋先生,与PIP半导体VP James Cai先生等人进行会谈。双方对功率半导体、特别是涉及第三代半导体高效节能领域之产品开发、专利共享、技术交流及市场营销取得战略合作之共识,会后并签订合作备忘录及战略合作协议。 PIP semi为成立于美国科罗拉多州的一家高科技公司,公司研发团队来自仙童、IR、TFSS,自2003年组成后一直专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、晶园制造工艺技术和封装测试工艺技术。2015年1月在国内与江苏向阳集团合作成立江苏丽隽功率半导体有限公司,公司开发和生产VDMOS、SG MOSFET、Coolmos、IGBT、Gate Driver IC等先进半导体功率器件应用于节能、绿色照明、智能电网、电动汽车、工控设备、消费电子等领域。  前述江苏向阳集团为年营收超过50亿人民币,覆盖纺织、化工、金属、电子及农业之国内大型集团。
    • 发布时间: 2018 - 01 - 08
      矽莱克半导体与东莞凌讯电子计划将组建合资公司,专业从事第三代宽禁带功率半导体、高效率功率因素校正器件(PFC, Power Factoer Correction)及新型桥式整流器(Tandem Bridge Rectifier)等三项专利产品之研发及封装测试业务,同时并进行MOSFET场效应管之研发、封测生产及销售业务,双方初步议定持股比例将为51%与49%,并已签订备忘录,将送交双方董事会通过后,着手进行合资公司之筹备设立相关事务。 东莞凌讯电子为专业之半导体封测厂,成立于2012年,主要从事半导体功率器件包括萧特基二极管(Schottky Barrier Diode)、超快恢复二极管(FRED)与MOSFET场效应管之封测业务。 上述三项合作之核心专利产品,矽莱克半导体已申请并陆续获得中国、美国及台湾等国三十余项新型及发明专利,为划时代的突破性产品,在第三代功率半导体氮化镓(GaN)及碳化硅(SiC)领域,透过该项封测技术将可全面提升器件耐压性能,达到更高功率密度、微型化、高可靠性及高效节能的效果;在功率因素校正运用领域,亦提供了一种高可靠性、高性价比、高效率的完全替代性新材料;同时在桥式整流器领域,提供了一种全新的突破性封装产品及应用方案,大幅提升了单相及三相桥式整流器的功率密度、散热性、可靠性及交换效率,减少了器件的体积并降低了产品失效率。 双方计划合资公司业务,五年后将达到年产功率器件6亿只,年产值人民币8到10亿的预期规模,在高耐压、高可靠性及高效率的功率半导体器件领域,凭借多项专利,形成产业间独占的领导地位。
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