专利飞轮二极管(Free-whell Diode)

一种并联式、不均流且不均压的功率半导体封装，有效降低了飞轮二极管的损耗，提升效率同时也降低成本。

专利裸晶(Chip on Board)二极管结构

率先提出整流二极管裸晶在散热片上的装置结构并于2005年提出专利，以散热片及整流二极管裸晶的结构，形成高功率密度的模块化结构，具有体积小及散热性极佳的特点。

专利高功率密度TO-126绝缘式二极管

高功率密度的TO-126绝缘式整流二极管封装，替代了传统轴向(Axial Lead)以及TO-220系列产品，可直接锁附固定于散热片，具有可靠性高、体积小、成本低的优势，适用于中功率电源适配器以及大功率电源Stand-by电源输出线路。

专利串联式(Tandem)功率TO-220绝缘式二极管

专利串联式TO-220绝缘封装，全自动化生产程度极高，为最具有竞争优势的串联封装结构，可实施于二极管之串联结构。被串联的二极管一致性极高，大幅提升了串联运用的可靠性及可行性，并具有极佳之性价比，主要运用于高压及高频等领域，如功率因素校正电路等。

专利单相及三相桥式整流器(Bridge Rectifier)新式组件

全球首创并于2018年获得美国专利的创新型桥式整流器组件，透过全自动化生产之高功率密度组件，替代了传统旧式的单相及三相桥式整流器以及功率模块，具有体积小、可靠性高、功率密度高、电路板占用空间少以及成本低廉的优势，主要运用于中大功率的交流整流领域。

专利串联式第三代功率半导体封装

第三代宽禁带功率半导体材料如碳化硅(SiC)及氮化镓(GaN)的串联封装技术，以专利串联装置，低成本且高可靠性的达成电压的倍增，缩短了第三代功率半导体材料电压的可达极限，加快其发展速度，并且拓展延伸出更为广泛的高频高压运用领域，主要运用于通信、交通、工业、航天及军事等行业。

专利晶体管及IGBT全自动化串联封装技术

一种全自动化的晶体管串联技术，可同时实施晶体管的串连与并联，具有可靠性高、一致性高以及成本低的优势。

超高压功率模块(专利申请中)

一种全自动化生产、一致性及可靠性极高的数万伏等级、超高压整流模块的生产技术，除可替代传统的高压硅堆，改善高压硅堆制程的缺陷及可靠性隐患，并大幅降低成本之外，同时可成功实施第三代半导体的超高耐压结构(12~30KV)，衍生出电力电子领域的新应用领域。